Les supports de plaquettes Semicorex RTA SiC sont les outils de transport de plaquettes essentiels, spécialement conçus pour le processus de recuit thermique rapide dans la fabrication de semi-conducteurs. Les supports de tranches Semicorex RTA SiC constituent la solution optimale pour un processus de recuit thermique rapide, qui peut contribuer à améliorer les rendements de fabrication des semi-conducteurs et à améliorer les performances des dispositifs à semi-conducteurs.
Le recuit thermique rapide est une technique de traitement thermique largement utilisée dans la fabrication de semi-conducteurs. Utilisant des lampes infrarouges halogènes comme source de chaleur, il chauffe rapidement des plaquettes ou des matériaux semi-conducteurs à des températures comprises entre 300 ℃ et 1 200 ℃ avec une vitesse de chauffage extrêmement rapide, suivie d'un refroidissement rapide. Le processus de recuit thermique rapide peut éliminer les contraintes résiduelles et les défauts à l’intérieur des plaquettes et des matériaux semi-conducteurs, améliorant ainsi la qualité et les performances des matériaux. Les supports de tranches RTA SiC sont le composant de transport indispensable largement utilisé dans le processus RTA, qui peut supporter de manière stable les matériaux de la tranche et des semi-conducteurs pendant le fonctionnement et garantit un effet de traitement thermique constant.
Les supports de plaquettes Semicorex RTA SiC offrent une excellente résistance mécanique et dureté et sont capables de résister à diverses contraintes mécaniques dans des conditions RTA difficiles tout en restant dimensionnellement stables et durables. Grâce à leur excellente dureté, la surface des supports de tranches RTA SiC est moins sujette aux rayures, ce qui fournit une surface de support plate et lisse qui empêche efficacement les dommages aux tranches causés par les rayures du support.
Les supports de plaquettes Semicorex RTA SiC possèdent une conductivité thermique exceptionnelle, leur permettant de disperser et de conduire efficacement la chaleur. Ils peuvent assurer un contrôle précis de la température lors d'un traitement thermique rapide, ce qui réduit considérablement le risque de dommages thermiques sur les tranches et améliore l'uniformité et la cohérence du processus de recuit.
Le carbure de silicium présente un point de fusion d'environ 2 700 °C et maintient une stabilité exceptionnelle à des températures de fonctionnement continues de 1 350 à 1 600 °C. Cela donne à SemicorexSupports de tranches RTA SiCstabilité thermique supérieure pour les conditions de fonctionnement RTA à haute température. De plus, grâce à leur faible coefficient de dilatation thermique, les supports de plaquettes Semicorex RTA SiC peuvent éviter les fissures ou les dommages causés par une dilatation et une contraction thermiques inégales lors de cycles de chauffage et de refroidissement rapides.
Fabriqué à partir de produits de haute pureté soigneusement sélectionnéscarbure de silicium, Les supports de plaquettes Semicorex RTA SiC présentent une faible teneur en impuretés. Grâce à leur remarquable résistance chimique, les supports de tranches Semicorex RTA SiC sont capables d'éviter la corrosion causée par les gaz de traitement lors d'un recuit thermique rapide, minimisant ainsi la contamination des tranches causée par les réactifs et répondant aux exigences strictes de propreté des processus de fabrication de semi-conducteurs.