Bateau à gaufrettes à semi-conducteurs

Semicorex fournit des bateaux à plaquettes, des socles et des supports de plaquettes personnalisés pour les configurations verticales/colonnes et horizontales. Nous sommes fabricant et fournisseur de film de revêtement en carbure de silicium depuis de nombreuses années. Notre semi-conducteur Wafer Boat a un bon avantage de prix et couvre la plupart des marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Semicorex Semiconductor Wafer Boat est fabriqué en céramique de carbure de silicium fritté, qui présente une bonne résistance à la corrosion et une excellente résistance aux températures élevées et aux chocs thermiques. Les céramiques avancées offrent une excellente résistance thermique et une durabilité au plasma tout en atténuant les particules et les contaminants pour les supports de plaquettes haute capacité.
Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de semi-conducteurs Wafer Boat de haute qualité et rentables, nous accordons la priorité à la satisfaction du client et fournissons des solutions rentables. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme, offrant des produits de haute qualité et un service client exceptionnel.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre Semiconductor Wafer Boat.

Paramètres de semi-conducteur Wafer Boat

Propriétés techniques
Indice	Unité	Valeur
Nom du matériau		Carbure de silicium fritté par réaction	Carbure de silicium fritté sans pression	Carbure de silicium recristallisé
Composition		RBSiC	SSiC	R-SiC
Densité apparente	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2.60-2.70
Résistance à la flexion	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C)90-100(1400°C)
Résistance à la compression	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Dureté	Knoop	2700	2800	/
Ténacité de rupture	MPa m1/2	4.5	4	/
Conductivité thermique	W/m.k	95	120	23
Coefficient de dilatation thermique	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Chaleur spécifique	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Température maximale dans l'air	℃	1200	1500	1600
Module d'élasticité	Gpa	360	410	240

La différence entre SSiC et RBSiC :

1. Le processus de frittage est différent. RBSiC consiste à infiltrer du Si libre dans du carbure de silicium à basse température, SSiC est formé par retrait naturel à 2100 degrés.

2. SSiC a une surface plus lisse, une densité plus élevée et une résistance plus élevée, pour certains joints avec des exigences de surface plus strictes, SSiC sera meilleur.

3. Différents temps d'utilisation sous différents PH et températures, SSiC est plus long que RBSiC

Caractéristiques du bateau à gaufrettes à semi-conducteurs

Résistance à la chaleur supérieure et uniformité thermique
Cristal de SiC fin enduit pour une surface lisse
Haute durabilité contre le nettoyage chimique
Le matériau est conçu pour éviter les fissures et le délaminage.