Suscepteur de barillet revêtu de SiC pour la croissance de LPE

Avec son point de fusion élevé, sa résistance à l'oxydation et sa résistance à la corrosion, le suscepteur cylindrique revêtu de SiC Semicorex pour la croissance LPE est le choix parfait pour une utilisation dans les applications de croissance monocristalline. Son revêtement en carbure de silicium offre des propriétés exceptionnelles de planéité et de répartition de la chaleur, garantissant des performances fiables et constantes même dans les environnements à haute température les plus exigeants.

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Description du produit

Le suscepteur cylindrique revêtu de SiC Semicorex pour la croissance LPE est un produit en graphite de qualité supérieure revêtu de SiC de haute pureté, conçu spécifiquement pour les processus LPE et d'autres applications de fabrication de semi-conducteurs. Sa densité et sa conductivité thermique exceptionnelles offrent une répartition et une protection supérieures de la chaleur dans les environnements à haute température et corrosifs.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de suscepteurs cylindriques revêtus de SiC de haute qualité et rentables pour la croissance LPE, nous donnons la priorité à la satisfaction du client et fournissons des solutions rentables. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme, offrant des produits de haute qualité et un service client exceptionnel.

Paramètres du suscepteur de barillet revêtu de SiC pour la croissance de LPE

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur de barillet revêtu de SiC pour la croissance de LPE

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur revêtu de carbure de silicium utilisé pour la croissance de monocristaux a une planéité de surface très élevée.

- Réduit la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliore efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.

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