Suscepteur de baril recouvert de SiC

Avec son point de fusion élevé, sa résistance à l'oxydation et à la corrosion, le suscepteur en baril à revêtement SiC Semicorex est le choix idéal pour une utilisation dans les applications de croissance monocristalline. Son revêtement en carbure de silicium offre des propriétés exceptionnelles de planéité et de répartition de la chaleur, garantissant des performances fiables et constantes même dans les environnements à haute température les plus exigeants.

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Description du produit

Le suscepteur cylindrique à revêtement SiC Semicorex est un produit en graphite de qualité supérieure recouvert de SiC de haute pureté, conçu spécifiquement pour les processus LPE et d'autres applications de fabrication de semi-conducteurs. Sa densité et sa conductivité thermique exceptionnelles offrent une répartition supérieure de la chaleur et une protection dans les environnements corrosifs et à haute température.
Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de suscepteurs de baril à revêtement SiC de haute qualité et rentables, nous accordons la priorité à la satisfaction du client et fournissons des solutions rentables. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme, en fournissant des produits de haute qualité et un service client exceptionnel.

Paramètres du suscepteur à baril recouvert de SiC

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur à baril recouvert de SiC

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance monocristalline présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.