Suscepteurs à base de graphite revêtus de SiC pour MOCVD

Les suscepteurs à base de graphite revêtus de SiC Semicorex pour MOCVD sont des supports de qualité supérieure utilisés dans l'industrie des semi-conducteurs. Notre produit est conçu avec du carbure de silicium de haute qualité qui offre d'excellentes performances et une durabilité à long terme. Ce support est idéal pour une utilisation dans le processus de croissance d'une couche épitaxiale sur la puce de plaquette.

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Description du produit

Nos suscepteurs à base de graphite revêtus de SiC pour MOCVD ont une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion qui assure une grande stabilité même dans des environnements extrêmes.
Les caractéristiques de ces suscepteurs à base de graphite revêtus de SiC pour MOCVD sont exceptionnelles. Il est fabriqué avec un revêtement en carbure de silicium de haute pureté sur graphite, ce qui le rend très résistant à l'oxydation à des températures élevées allant jusqu'à 1600°C. Le procédé de dépôt chimique en phase vapeur CVD utilisé dans sa fabrication garantit une grande pureté et une excellente résistance à la corrosion. La surface du support est dense, avec de fines particules qui améliorent sa résistance à la corrosion, le rendant résistant aux acides, aux alcalis, au sel et aux réactifs organiques.
Nos suscepteurs à base de graphite revêtus de SiC pour MOCVD assurent un profil thermique uniforme, garantissant le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire. Il empêche toute contamination ou impureté de se diffuser dans la plaquette, ce qui la rend idéale pour une utilisation dans des environnements de salle blanche. Semicorex est un fabricant et fournisseur à grande échelle de suscepteur en graphite revêtu de SiC en Chine, et nos produits ont un bon avantage de prix. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme dans l'industrie des semi-conducteurs.

Paramètres des suscepteurs à base de graphite revêtus de SiC pour MOCVD

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur en graphite revêtu de SiC pour MOCVD

- Éviter le décollement et assurer le revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
- Obtenez le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire
- Garantir l'uniformité du profil thermique
- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés

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