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Suscepteurs à base de graphite à revêtement SiC pour MOCVD

Suscepteurs à base de graphite à revêtement SiC pour MOCVD

Les suscepteurs à base de graphite à revêtement SiC Semicorex pour MOCVD sont des supports de qualité supérieure utilisés dans l'industrie des semi-conducteurs. Notre produit est conçu avec du carbure de silicium de haute qualité qui offre d'excellentes performances et une durabilité durable. Ce support est idéal pour une utilisation dans le processus de croissance d'une couche épitaxiale sur la puce de tranche.

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Description du produit

Nos suscepteurs à base de graphite à revêtement SiC pour MOCVD ont une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion qui garantit une grande stabilité même dans des environnements extrêmes.
Les caractéristiques de ces suscepteurs à base de graphite à revêtement SiC pour MOCVD sont exceptionnelles. Il est fabriqué avec un revêtement de carbure de silicium de haute pureté sur graphite, ce qui le rend très résistant à l'oxydation à des températures élevées allant jusqu'à 1 600 °C. Le procédé de dépôt chimique en phase vapeur CVD utilisé dans sa fabrication garantit une grande pureté et une excellente résistance à la corrosion. La surface du support est dense, avec de fines particules qui améliorent sa résistance à la corrosion, le rendant résistant aux réactifs acides, alcalins, salins et organiques.
Nos suscepteurs à base de graphite à revêtement SiC pour MOCVD assurent un profil thermique uniforme, garantissant le meilleur modèle de flux de gaz laminaire. Il empêche toute contamination ou impureté de se diffuser dans la plaquette, ce qui la rend idéale pour une utilisation dans les environnements de salle blanche. Semicorex est un fabricant et fournisseur à grande échelle de suscepteurs en graphite à revêtement SiC en Chine, et nos produits présentent un bon avantage en termes de prix. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme dans l'industrie des semi-conducteurs.


Paramètres des suscepteurs à base de graphite revêtus de SiC pour MOCVD

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure cristalline

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille des grains

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module de Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques du suscepteur en graphite revêtu de SiC pour MOCVD

- Éviter de se décoller et assurer un revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
- Obtenez le meilleur modèle de flux de gaz laminaire
- Garantir la régularité du profil thermique
- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés




Balises actives: Suscepteurs à base de graphite revêtus de SiC pour MOCVD, Chine, fabricants, fournisseurs, usine, personnalisés, en vrac, avancés, durables
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