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Supports de plaques revêtus de SiC pour MOCVD

Supports de plaques revêtus de SiC pour MOCVD

Les supports de plaques revêtus de SiC Semicorex pour MOCVD sont des supports de haute qualité conçus pour être utilisés dans le processus de fabrication de semi-conducteurs. Sa grande pureté, son excellente résistance à la corrosion et son profil thermique uniforme en font un excellent choix pour ceux qui recherchent un support capable de résister aux exigences du processus de fabrication des semi-conducteurs.

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Description du produit

Nos supports de plaques revêtus de SiC pour MOCVD se caractérisent par une pureté élevée, ce qui en fait un excellent choix pour ceux qui recherchent un support très uniforme et cohérent dans ses propriétés.
Nos supports de plaques revêtus de SiC pour MOCVD sont fabriqués avec un revêtement de carbure de silicium de haute pureté sur graphite, ce qui les rend très résistants à l'oxydation à des températures élevées allant jusqu'à 1 600 °C. Le procédé de dépôt chimique en phase vapeur CVD utilisé dans sa fabrication garantit une grande pureté et une excellente résistance à la corrosion. Il est très résistant à la corrosion, avec une surface dense et des particules fines, ce qui le rend résistant aux acides, aux alcalis, au sel et aux réactifs organiques. Sa résistance à l'oxydation à haute température assure une stabilité à des températures élevées jusqu'à 1600°C.


Paramètres des supports de plaques revêtus de SiC pour MOCVD

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure cristalline

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille des grains

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module de Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques du suscepteur en graphite revêtu de SiC pour MOCVD

- Éviter de se décoller et assurer un revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
- Obtenez le meilleur modèle de flux de gaz laminaire
- Garantir la régularité du profil thermique
- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés




Balises actives: Supports de plaques revêtus de SiC pour MOCVD, Chine, fabricants, fournisseurs, usine, personnalisés, en vrac, avancés, durables
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