Supports de plaquettes de substrat en graphite à revêtement SiC pour MOCVD

Vous pouvez être assuré d'acheter des supports de plaquettes de substrat en graphite à revêtement SiC pour MOCVD dans notre usine. Chez Semicorex, nous sommes un fabricant et fournisseur à grande échelle de suscepteur en graphite revêtu de SiC en Chine. Notre produit a un bon avantage de prix et couvre de nombreux marchés européens et américains. Nous nous efforçons de fournir à nos clients des produits de haute qualité qui répondent à leurs exigences spécifiques. Notre support de plaquette de substrat en graphite à revêtement SiC pour MOCVD est un excellent choix pour ceux qui recherchent un support haute performance pour leur processus de fabrication de semi-conducteurs.

envoyer une demande

Description du produit

Le SiC Coating Graphite Substrate Wafer Carrier pour MOCVD joue un rôle crucial dans le processus de fabrication des semi-conducteurs. Notre produit est très stable, même dans des environnements extrêmes, ce qui en fait un excellent choix pour la production de wafers de haute qualité.
Les caractéristiques de nos supports de plaquettes de substrat en graphite à revêtement SiC pour MOCVD sont exceptionnelles. Sa surface dense et ses fines particules améliorent sa résistance à la corrosion, ce qui le rend résistant aux acides, aux alcalis, au sel et aux réactifs organiques. Le support assure un profil thermique uniforme et garantit le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, empêchant toute contamination ou impureté de se diffuser dans la plaquette.

Paramètres des supports de plaquettes de substrat en graphite à revêtement SiC pour MOCVD

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur en graphite revêtu de SiC pour MOCVD

- Éviter le décollement et assurer le revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
- Obtenez le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire
- Garantir l'uniformité du profil thermique
- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés

Balises actives: SiC Coating Graphite Substrate Wafer Carriers for MOCVD, Chine, Fabricants, Fournisseurs, Usine, Personnalisé, En vrac, Avancé, Durable