Segment de couverture SiC MOCVD

Le segment de couverture Semicorex SiC MOCVD exploite une combinaison synergique de matériaux sélectionnés pour leurs performances à des températures extrêmes et en présence de précurseurs hautement réactifs. Le noyau de chaque segment est construit à partir degraphite isostatique de haute pureté, bénéficiant d'une teneur en cendres inférieure à 5 ppm. Cette pureté exceptionnelle minimise les risques potentiels de contamination, garantissant l’intégrité des épicouches SiC en cours de croissance. À part cela, un appliqué avec précisionRevêtement SiC par dépôt chimique en phase vapeur (CVD)forme une barrière protectrice sur le substrat en graphite. Cette couche de haute pureté (≥ 6N) présente une résistance exceptionnelle aux précurseurs agressifs couramment utilisés en épitaxie SiC.

Principales caractéristiques :

Ces caractéristiques matérielles se traduisent par des avantages tangibles dans l’environnement exigeant du SiC MOCVD :

Résilience inébranlable à la température : la résistance combinée du segment de couverture SiC MOCVD garantit l'intégrité structurelle et empêche la déformation ou la déformation même aux températures extrêmes (souvent supérieures à 1 500 °C) requises pour l'épitaxie SiC.

Résistance aux attaques chimiques : La couche CVD SiC agit comme un bouclier robuste contre la nature corrosive des précurseurs courants de l'épitaxie SiC, tels que le silane et le triméthylaluminium. Cette protection maintient l'intégrité du segment de couverture SiC MOCVD lors d'une utilisation prolongée, minimisant la génération de particules et garantissant un environnement de processus plus propre.

Promouvoir l'uniformité de la tranche : la stabilité thermique et l'uniformité inhérentes du segment de couverture SiC MOCVD contribuent à un profil de température plus uniformément réparti sur la tranche pendant l'épitaxie. Il en résulte une croissance plus homogène et une uniformité supérieure des épicouches de SiC déposées.

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Avantages opérationnels :

Au-delà des améliorations de processus, le segment de couverture Semicorex SiC MOCVD offre des avantages opérationnels significatifs :

Durée de vie prolongée : La sélection et la construction robustes des matériaux se traduisent par une durée de vie prolongée des segments de couverture, réduisant ainsi le besoin de remplacements fréquents. Cela minimise les temps d’arrêt des processus et contribue à réduire les coûts opérationnels globaux.

Epitaxie de haute qualité activée : en fin de compte, le segment de couverture SiC MOCVD avancé contribue directement à la production d'épitaxies SiC de qualité supérieure, ouvrant la voie à des dispositifs SiC plus performants utilisés dans l'électronique de puissance, la technologie RF et d'autres applications exigeantes.