Segment intérieur SiC MOCVD

Le segment intérieur Semicorex SiC MOCVD est conçu pour la performance et la fiabilité, fournissant un composant essentiel pour le processus exigeant d'épitaxie SiC. En tirant parti de matériaux de haute pureté et de techniques de fabrication avancées, le segment interne SiC MOCVD permet la croissance d'épicouches SiC de haute qualité essentielles à l'électronique de puissance de nouvelle génération et à d'autres applications avancées de semi-conducteurs :

Avantages matériels :

Le segment intérieur SiC MOCVD est construit à l'aide d'une combinaison de matériaux robustes et hautes performances :

Substrat graphite de très haute pureté (teneur en cendres < 5 ppm) :Le substrat en graphite constitue une base solide pour le segment de couverture. Sa teneur en cendres exceptionnellement faible minimise les risques de contamination, garantissant la pureté des épicouches SiC pendant le processus de croissance.

Revêtement SiC CVD de haute pureté (pureté ≥ 99,99995 %) :Un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est utilisé pour appliquer un revêtement SiC uniforme et de haute pureté sur le substrat en graphite. Cette couche de SiC offre une résistance supérieure aux précurseurs réactifs utilisés dans l'épitaxie SiC, évitant ainsi les réactions indésirables et assurant une stabilité à long terme.

Quelques Autres pièces CVD SiC MOCVD Fournitures Semicorex  

Avantages en termes de performances dans les environnements MOCVD :

Stabilité exceptionnelle à haute température :La combinaison de graphite de haute pureté et de SiC CVD offre une stabilité exceptionnelle aux températures élevées requises pour l'épitaxie SiC (généralement supérieures à 1 500 °C). Cela garantit des performances constantes et empêche la déformation ou la déformation lors d’une utilisation prolongée.

Résistance aux précurseurs agressifs :Le segment interne SiC MOCVD présente une excellente résistance chimique aux précurseurs agressifs, tels que le silane (SiH4) et le triméthylaluminium (TMAl), couramment utilisés dans les procédés SiC MOCVD. Cela empêche la corrosion et garantit l'intégrité à long terme du segment de couverture.

Faible génération de particules :La surface lisse et non poreuse du segment interne SiC MOCVD minimise la génération de particules pendant le processus MOCVD. Ceci est crucial pour maintenir un environnement de processus propre et obtenir des épicouches SiC de haute qualité exemptes de défauts.

Uniformité améliorée des plaquettes :Les propriétés thermiques uniformes du segment interne SiC MOCVD, combinées à sa résistance à la déformation, contribuent à améliorer l'uniformité de la température sur la tranche pendant l'épitaxie. Cela conduit à une croissance plus homogène et à une meilleure uniformité des épicouches de SiC.

Durée de vie prolongée :Les propriétés robustes du matériau et la résistance supérieure aux conditions de processus difficiles se traduisent par une durée de vie prolongée du segment intérieur Semicorex SiC MOCVD. Cela réduit la fréquence des remplacements, minimisant ainsi les temps d'arrêt et réduisant les coûts d'exploitation globaux.