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Support de plaquette SiC
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Support de plaquette SiC

Semicorex SiC Wafer Carrier est fabriqué à partir de céramique de carbure de silicium de haute pureté, grâce à la technologie d'impression 3D, ce qui signifie qu'il peut réaliser des composants d'usinage de grande valeur en peu de temps. Semicorex est réputé fournir des produits qualifiés de haute qualité à nos clients du monde entier.*

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Description du produit

Semicorex SiC Wafer Carrier est un support spécialisé de haute pureté conçu pour supporter et transporter plusieurs plaquettes semi-conductrices dans des environnements de traitement thermique et chimique extrêmes. Semicorex fournit ces bateaux à plaquettes de nouvelle génération utilisant une technologie d'impression 3D avancée, garantissant une précision géométrique et une pureté des matériaux inégalées pour les flux de fabrication de plaquettes les plus exigeants.


Redéfinir la précision : l'impression 3DSiC de haute pureté


Les méthodes de fabrication traditionnelles des supports de tranches, telles que l'usinage ou l'assemblage à partir de plusieurs pièces, sont souvent confrontées à des limitations en termes de complexité géométrique et d'intégrité des joints. En utilisant la fabrication additive (impression 3D), Semicorex produit des supports de plaquettes SiC qui offrent des avantages techniques significatifs :


Intégrité structurelle monolithique : l’impression 3D permet la création d’une structure monobloc sans couture. Cela élimine les points faibles associés au collage ou au soudage traditionnel, réduisant ainsi considérablement le risque de défaillance structurelle ou de perte de particules pendant les cycles à haute température.

Géométries internes complexes : l'impression 3D avancée permet d'optimiser la conception des fentes et les canaux de flux de gaz qui sont impossibles à réaliser via l'usinage CNC traditionnel. Cela améliore l'uniformité du gaz de traitement sur la surface de la tranche, améliorant ainsi directement la cohérence du lot.

Efficacité des matériaux et haute pureté : notre processus utilise de la poudre SiC de haute pureté, ce qui donne un support avec un minimum de traces d'impuretés métalliques. Ceci est essentiel pour prévenir la contamination croisée dans les processus sensibles de diffusion, d’oxydation et LPCVD (dépôt chimique en phase vapeur à basse pression).

High temperature field

Excellence des performances dans des environnements extrêmes


Les supports de plaquettes Semicorex SiC sont conçus pour prospérer là où le quartz et d'autres céramiques échouent. Les propriétés inhérentes decarbure de silicium de haute puretéfournir une base solide pour les opérations modernes de fabrication de semi-conducteurs :


1. Stabilité thermique supérieure

Carbure de siliciumconserve une résistance mécanique exceptionnelle à des températures supérieures à 1 350°C. Son faible coefficient de dilatation thermique (CTE) garantit que les fentes du support restent parfaitement alignées même pendant les phases de chauffage et de refroidissement rapides, empêchant ainsi le « marquage » ou le pincement de la tranche pouvant entraîner une casse coûteuse.


2. Résistance chimique universelle

De la gravure plasma agressive aux bains acides à haute température, nos supports SiC sont pratiquement inertes. Ils résistent à l'érosion causée par les gaz fluorés et les acides concentrés, garantissant ainsi que les dimensions des fentes des plaquettes restent constantes sur des centaines de cycles. Cette longévité se traduit par un coût total de possession (TCO) nettement inférieur à celui des alternatives au quartz.


3. Conductivité thermique élevée

La conductivité thermique élevée du SiC garantit que la chaleur est répartie uniformément dans tout le support et transférée efficacement aux tranches. Cela minimise les gradients de température « bord à centre », ce qui est essentiel pour obtenir une épaisseur de film et des profils de dopant uniformes dans le traitement par lots.


Applications industrielles


Les supports de plaquettes SiC Semicorex sont la référence en matière de traitement par lots haute performance dans :


Fours de diffusion et d’oxydation : fournissent un support stable pour le dopage à haute température.

LPCVD / PECVD : Garantir un dépôt de film uniforme sur des lots entiers de plaquettes.

Épitaxie SiC : résiste aux températures extrêmes requises pour la croissance des semi-conducteurs à large bande interdite.

Manipulation automatisée en salle blanche : conçu avec des interfaces de précision pour une intégration transparente avec l'automatisation FAB.

Balises actives: SiC Wafer Carrier, Chine, fabricants, fournisseurs, usine, personnalisé, en vrac, avancé, durable
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