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Suscepteurs de plaquettes SiC pour MOCVD

Suscepteurs de plaquettes SiC pour MOCVD

Les suscepteurs de tranches SiC Semicorex pour MOCVD sont un modèle de précision et d'innovation, spécialement conçus pour faciliter le dépôt épitaxial de matériaux semi-conducteurs sur des tranches. Les propriétés matérielles supérieures des plaques leur permettent de résister aux conditions rigoureuses de croissance épitaxiale, notamment aux températures élevées et aux environnements corrosifs, ce qui les rend indispensables pour la fabrication de semi-conducteurs de haute précision. Chez Semicorex, nous nous engageons à fabriquer et à fournir des suscepteurs de plaquettes SiC hautes performances pour MOCVD qui allient qualité et rentabilité.

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Description du produit

La combinaison de stabilité thermique, de résistance chimique et de robustesse mécanique garantit aux suscepteurs de plaquettes SiC Semicorex pour MOCVD une longue durée de vie opérationnelle, même dans des conditions de traitement difficiles :


1. Ces suscepteurs de plaquettes SiC pour MOCVD sont conçus pour résister à des températures extrêmement élevées, dépassant souvent 1 500 °C, sans dégradation. Cette résilience est cruciale pour les processus qui nécessitent une exposition prolongée à des environnements thermiques élevés. Les propriétés thermiques supérieures minimisent les gradients thermiques et les contraintes au sein du suscepteur, réduisant ainsi le risque de gauchissement ou de déformation sous des températures de traitement extrêmes.


2. Le revêtement SiC des suscepteurs de plaquettes SiC pour MOCVD offre une résistance exceptionnelle aux produits chimiques corrosifs utilisés dans les processus CVD, tels que les gaz à base d'halogène. Cette inertie garantit que les supports ne réagissent pas avec les gaz de traitement, maintenant ainsi l'intégrité et la pureté des films déposés.


3. La construction robuste de ces suscepteurs de tranches SiC pour MOCVD garantit qu'ils peuvent résister aux contraintes mécaniques de manipulation et de traitement sans générer de particules susceptibles de contaminer la tranche. L’uniformité de la surface des suscepteurs favorise des conditions de traitement reproductibles, essentielles à la production de dispositifs semi-conducteurs offrant des performances et une fiabilité constantes.


Ces descriptions détaillées mettent en évidence les avantages professionnels et techniques des suscepteurs de plaquettes SiC pour MOCVD dans les processus CVD de semi-conducteurs, en soulignant leurs propriétés et avantages uniques dans le maintien de normes élevées de pureté, de performances et d'efficacité dans le processus de fabrication.



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