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Suscepteur MOCVD de substrat de graphite de carbure de silicium

Suscepteur MOCVD de substrat de graphite de carbure de silicium

Le substrat en graphite de carbure de silicium Semicorex MOCVD Susceptor est le choix ultime pour les fabricants de semi-conducteurs à la recherche d'un support de haute qualité capable d'offrir des performances et une durabilité supérieures. Son matériau avancé garantit un profil thermique uniforme et un flux de gaz laminaire, offrant ainsi des plaquettes de haute qualité.

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Description du produit

Notre suscepteur MOCVD de substrat de graphite de carbure de silicium est très pur, fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température, garantissant l'uniformité et la cohérence du produit. Il est également très résistant à la corrosion, avec une surface dense et des particules fines, ce qui le rend résistant aux acides, aux alcalis, au sel et aux réactifs organiques. Sa résistance à l'oxydation à haute température assure une stabilité à des températures élevées jusqu'à 1600°C.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre suscepteur MOCVD à substrat de graphite et de carbure de silicium.


Paramètres du substrat de graphite de carbure de silicium MOCVD Susceptor

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure cristalline

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille des grains

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module de Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques du suscepteur en graphite revêtu de SiC pour MOCVD

- Éviter de se décoller et assurer un revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
- Obtenez le meilleur modèle de flux de gaz laminaire
- Garantir la régularité du profil thermique
- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés




Balises actives: Substrat en graphite de carbure de silicium Suscepteur MOCVD, Chine, fabricants, fournisseurs, usine, personnalisé, en vrac, avancé, durable
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