Baril de réacteur épitaxial revêtu de SiC

Le corps de réacteur épitaxial revêtu de SiC de Semicorex est un produit en graphite de qualité supérieure revêtu de SiC de haute pureté. Son excellente densité et sa conductivité thermique en font un choix idéal pour une utilisation dans les procédés LPE, offrant une distribution de chaleur et une protection exceptionnelles dans les environnements corrosifs et à haute température.

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Description du produit

En ce qui concerne la fabrication de semi-conducteurs, le corps de réacteur épitaxial revêtu de SiC de Semicorex est le choix incontournable pour des performances supérieures et une distribution de chaleur exceptionnelle. Revêtu de SiC de haute pureté, ce produit en graphite offre une résistance exceptionnelle à la corrosion et à la chaleur, garantissant des résultats fiables et cohérents à chaque fois.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits de haute qualité et rentables à nos clients. Notre baril de réacteur épitaxial revêtu de SiC a un avantage de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Notre objectif est d'être votre partenaire à long terme, offrant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.

Paramètres du baril de réacteur épitaxial revêtu de SiC

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du baril de réacteur épitaxial revêtu de SiC

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur revêtu de carbure de silicium utilisé pour la croissance de monocristaux a une planéité de surface très élevée.

- Réduit la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliore efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.