Baril de réacteur épitaxial revêtu de SiC

Le baril de réacteur épitaxial revêtu de SiC Semicorex est un produit en graphite de qualité supérieure recouvert de SiC de haute pureté. Son excellente densité et conductivité thermique en font un choix idéal pour une utilisation dans les processus LPE, offrant une distribution de chaleur et une protection exceptionnelles dans les environnements corrosifs et à haute température.

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Description du produit

Lorsqu'il s'agit de fabrication de semi-conducteurs, le baril de réacteur épitaxial à revêtement SiC Semicorex est le choix idéal pour des performances supérieures et une distribution de chaleur exceptionnelle. Revêtu de SiC de haute pureté, ce produit en graphite offre une résistance exceptionnelle à la corrosion et à la chaleur, garantissant des résultats fiables et cohérents à chaque fois.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits rentables et de haute qualité à nos clients. Notre baril de réacteur épitaxial revêtu de SiC présente un avantage en termes de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, en fournissant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.

Paramètres du baril de réacteur épitaxial revêtu de SiC

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du baril de réacteur épitaxial revêtu de SiC

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance monocristalline présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.