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Dépôt épitaxial de silicium dans un réacteur à baril

Dépôt épitaxial de silicium dans un réacteur à baril

Si vous avez besoin d'un suscepteur en graphite haute performance à utiliser dans des applications de fabrication de semi-conducteurs, le dépôt épitaxial de silicium Semicorex dans un réacteur en baril est le choix idéal. Son revêtement SiC de haute pureté et sa conductivité thermique exceptionnelle offrent des propriétés supérieures de protection et de répartition de la chaleur, ce qui en fait le choix idéal pour des performances fiables et constantes, même dans les environnements les plus difficiles.

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Description du produit

Le dépôt épitaxial de silicium Semicorex dans un réacteur à baril est un produit idéal pour la croissance de couches épixiales sur des puces de plaquettes. Il s'agit d'un support en graphite revêtu de SiC de haute pureté, très résistant à la chaleur et à la corrosion, ce qui le rend parfait pour une utilisation dans des environnements extrêmes. Ce suscepteur à barillet est adapté au LPE et offre d'excellentes performances thermiques, garantissant l'uniformité du profil thermique. De plus, il garantit le meilleur flux de gaz laminaire et empêche la contamination ou les impuretés de se diffuser dans la plaquette.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits rentables et de haute qualité à nos clients. Notre dépôt épitaxial de silicium dans un réacteur baril présente un avantage en termes de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, en fournissant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.


Paramètres du dépôt épitaxial de silicium dans un réacteur à baril

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure en cristal

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille d'un grain

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module d'Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques du dépôt épitaxial de silicium dans un réacteur à baril

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance monocristalline présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.




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