Dépôt épitaxial de silicium dans un réacteur à baril

Si vous avez besoin d'un suscepteur en graphite haute performance pour une utilisation dans des applications de fabrication de semi-conducteurs, le réacteur de dépôt épitaxial de silicium Semicorex en barillet est le choix idéal. Son revêtement SiC de haute pureté et sa conductivité thermique exceptionnelle offrent des propriétés de protection et de répartition de la chaleur supérieures, ce qui en fait le choix incontournable pour des performances fiables et constantes, même dans les environnements les plus difficiles.

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Description du produit

Semicorex Silicon Epitaxial Deposition In Barrel Reactor est un produit idéal pour la croissance de couches épitaxiales sur des puces de plaquettes. Il s'agit d'un support en graphite revêtu de SiC de haute pureté qui est très résistant à la chaleur et à la corrosion, ce qui le rend parfait pour une utilisation dans des environnements extrêmes. Ce suscepteur de baril convient au LPE et offre d'excellentes performances thermiques, garantissant la régularité du profil thermique. De plus, il garantit le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire et empêche la contamination ou la diffusion d'impuretés dans la plaquette.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits de haute qualité et rentables à nos clients. Notre réacteur de dépôt épitaxial de silicium dans un baril a un avantage de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, offrant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.

Paramètres du dépôt épitaxial de silicium dans le réacteur Barrel

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du dépôt épitaxial de silicium dans le réacteur Barrel

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur revêtu de carbure de silicium utilisé pour la croissance de monocristaux a une planéité de surface très élevée.

- Réduit la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliore efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.