Semi-conducteur porteur de plaquettes

Semicorex fournit des céramiques de qualité semi-conducteur pour vos outils de semi-fabrication OEM et vos composants de manipulation de plaquettes en se concentrant sur les couches de carbure de silicium dans les industries des semi-conducteurs. Nous sommes fabricant et fournisseur de Wafer Carrier Semiconductor depuis de nombreuses années. Notre Wafer Carrier Semiconductor présente un bon avantage de prix et couvre la plupart des marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Les processus de dépôt de semi-conducteurs utilisent une combinaison de gaz précurseurs volatils, de plasma et de températures élevées pour déposer des films minces de haute qualité sur des tranches. Les chambres de dépôt et les outils de manipulation de plaquettes nécessitent des composants en céramique durables pour résister à ces environnements difficiles. Semicorex Wafer Carrier Semiconductor est du carbure de silicium de haute pureté, qui possède des propriétés élevées de résistance à la corrosion et à la chaleur ainsi qu'une excellente conductivité thermique.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre semi-conducteur Wafer Carrier.

Paramètres du semi-conducteur Wafer Carrier

Propriétés techniques
Indice	Unité	Valeur
Nom du matériau		Carbure de silicium fritté par réaction	Carbure de silicium fritté sans pression	Carbure de silicium recristallisé
Composition		RBSIC	SSIC	R-SiC
Densité apparente	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Résistance à la flexion	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100(1400°C)
Résistance à la compression	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Dureté	Bouton	2700	2800	/
Briser la ténacité	MPa m1/2	4.5	4	/
Conductivité thermique	W/m.k	95	120	23
Coefficient de dilatation thermique	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Chaleur spécifique	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Température maximale de l'air	℃	1200	1500	1600
Module élastique	Gpa	360	410	240

La différence entre SSiC et RBSiC :

1. Le processus de frittage est différent. Le RBSiC consiste à infiltrer le Si libre dans le carbure de silicium à basse température, le SSiC est formé par retrait naturel à 2 100 degrés.

2. Les SSiC ont une surface plus lisse, une densité plus élevée et une résistance plus élevée. Pour certains joints ayant des exigences de surface plus strictes, le SSiC sera meilleur.

3. Temps d'utilisation différent sous différents pH et températures, SSiC est plus long que RBSiC

Caractéristiques du semi-conducteur Wafer Carrier

- Déviation de longueur d'onde plus faible et rendements de puces plus élevés
- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.
- Des tolérances dimensionnelles plus strictes conduisent à un rendement de produit plus élevé et à des coûts réduits
- Revêtement graphite et SiC de haute pureté pour une résistance aux sténopés et une durée de vie plus longue

Formes disponibles de céramiques en carbure de silicium :

● Tige en céramique/goupille en céramique/piston en céramique

● Tube en céramique / bague en céramique / manchon en céramique

● Bague en céramique / rondelle en céramique / entretoise en céramique

● Disque en céramique

● Plaque en céramique / bloc en céramique

● Boule en céramique

● Piston en céramique

● Buse en céramique

● Creuset en céramique

● Autres pièces en céramique sur mesure