Wafer Carrier Semiconductor

Semicorex fournit des céramiques de qualité semi-conducteur pour vos outils de semi-fabrication OEM et vos composants de manipulation de plaquettes en se concentrant sur les couches de carbure de silicium dans les industries des semi-conducteurs. Nous sommes fabricant et fournisseur de Wafer Carrier Semiconductor depuis de nombreuses années. Notre Wafer Carrier Semiconductor a un bon avantage de prix et couvre la plupart des marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Les processus de dépôt de semi-conducteurs utilisent une combinaison de gaz précurseurs volatils, de plasma et de températures élevées pour déposer des films minces de haute qualité sur des tranches. Les chambres de dépôt et les outils de manipulation de plaquettes nécessitent des composants en céramique durables pour résister à ces environnements difficiles. Semicorex Wafer Carrier Semiconductor est du carbure de silicium de haute pureté, qui possède des propriétés élevées de résistance à la corrosion et à la chaleur ainsi qu'une excellente conductivité thermique.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre semi-conducteur porteur de plaquettes.

Paramètres de Wafer Carrier Semiconductor

Propriétés techniques
Indice	Unité	Valeur
Nom du matériau		Carbure de silicium fritté par réaction	Carbure de silicium fritté sans pression	Carbure de silicium recristallisé
Composition		RBSiC	SSiC	R-SiC
Densité apparente	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2.60-2.70
Résistance à la flexion	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C)90-100(1400°C)
Résistance à la compression	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Dureté	Knoop	2700	2800	/
Ténacité de rupture	MPa m1/2	4.5	4	/
Conductivité thermique	W/m.k	95	120	23
Coefficient de dilatation thermique	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Chaleur spécifique	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Température maximale dans l'air	℃	1200	1500	1600
Module d'élasticité	Gpa	360	410	240

La différence entre SSiC et RBSiC :

1. Le processus de frittage est différent. RBSiC consiste à infiltrer du Si libre dans du carbure de silicium à basse température, SSiC est formé par retrait naturel à 2100 degrés.

2. SSiC a une surface plus lisse, une densité plus élevée et une résistance plus élevée, pour certains joints avec des exigences de surface plus strictes, SSiC sera meilleur.

3. Différents temps d'utilisation sous différents PH et températures, SSiC est plus long que RBSiC

Caractéristiques de Wafer Carrier Semiconductor

- Déviation de longueur d'onde plus faible et rendements de puce plus élevés
- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.
- Des tolérances dimensionnelles plus strictes conduisent à un rendement de produit plus élevé et à des coûts réduits
- Graphite de haute pureté et revêtement SiC pour une résistance aux trous d'épingle et une durée de vie plus longue

Formes disponibles de céramiques au carbure de siliciumï¼

â Tige en céramique / goupille en céramique / piston en céramique

â Tube en céramique / bague en céramique / manchon en céramique

â Anneau en céramique / Rondelle en céramique / Entretoise en céramique

â Disque en céramique

â Assiette en céramique / bloc en céramique

â Boule en céramique

â Piston en céramique

â Buse en céramique

â Creuset en céramique

â Autres pièces en céramique personnalisées