Système Epi de récepteur de baril

Le système Semicorex Barrel Susceptor Epi est un produit de haute qualité qui offre une adhérence supérieure du revêtement, une pureté élevée et une résistance à l'oxydation à haute température. Son profil thermique uniforme, son flux de gaz laminaire et sa prévention de la contamination en font un choix idéal pour la croissance de couches épixiales sur des puces de tranche. Sa rentabilité et sa personnalisation en font un produit hautement compétitif sur le marché.

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Description du produit

Notre système Barrel Susceptor Epi est un produit très innovant qui offre d’excellentes performances thermiques, un profil thermique uniforme et une adhérence supérieure du revêtement. Sa haute pureté, sa résistance à l'oxydation à haute température et sa résistance à la corrosion en font un produit extrêmement fiable pour une utilisation dans l'industrie des semi-conducteurs. Sa prévention de la contamination et des impuretés et ses faibles besoins d’entretien en font un produit hautement compétitif sur le marché.
Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits rentables et de haute qualité à nos clients. Notre système Barrel Susceptor Epi présente un avantage de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, en fournissant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre système Barrel Susceptor Epi.

Paramètres du système Epi de suscepteur de baril

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du système Epi de suscepteur de baril

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance des monocristaux présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.