Système Epi de suscepteur de baril pour l'épitaxie de LPE

Semicorex Barrel Susceptor Epi System for LPE Epitaxy est un produit de haute qualité qui offre une adhérence supérieure du revêtement, une grande pureté et une résistance à l'oxydation à haute température. Son profil thermique uniforme, son schéma d'écoulement de gaz laminaire et sa prévention de la contamination en font un choix idéal pour la croissance de couches épixiales sur des puces de plaquettes. Sa rentabilité et sa personnalisation en font un produit hautement compétitif sur le marché.

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Description du produit

Notre système Barrel Susceptor Epi pour l'épitaxie LPE est un produit hautement innovant qui offre d'excellentes performances thermiques, un profil thermique uniforme et une adhérence supérieure du revêtement. Sa grande pureté, sa résistance à l'oxydation à haute température et sa résistance à la corrosion en font un produit extrêmement fiable pour une utilisation dans l'industrie des semi-conducteurs. Sa prévention de la contamination et des impuretés et ses faibles besoins d'entretien en font un produit hautement compétitif sur le marché.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits de haute qualité et rentables à nos clients. Notre système Epi de suscepteur de baril pour l'épitaxie LPE a un avantage de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, offrant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre système Epi de suscepteur cylindrique pour l'épitaxie LPE.

Paramètres du système d'épi de suscepteur de baril pour l'épitaxie de LPE

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du système Epi à suscepteur cylindrique pour l'épitaxie LPE

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur revêtu de carbure de silicium utilisé pour la croissance de monocristaux a une planéité de surface très élevée.

- Réduit la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliore efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.

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