Dépôt épitaxial CVD dans un réacteur à baril

Le dépôt épitaxial CVD Semicorex dans un réacteur baril est un produit très durable et fiable pour la croissance de couches épixiales sur des puces de plaquettes. Sa résistance à l’oxydation à haute température et sa grande pureté le rendent adapté à une utilisation dans l’industrie des semi-conducteurs. Son profil thermique uniforme, son flux de gaz laminaire et sa prévention de la contamination en font un choix idéal pour la croissance de couches épixiales de haute qualité.

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Description du produit

Notre dépôt épitaxial CVD dans un réacteur baril est un produit haute performance conçu pour offrir des performances fiables dans des environnements extrêmes. Son adhérence supérieure du revêtement, sa résistance à l’oxydation à haute température et sa résistance à la corrosion en font un excellent choix pour une utilisation dans des environnements difficiles. De plus, son profil thermique uniforme, son flux de gaz laminaire et la prévention de la contamination garantissent la haute qualité de la couche épixiale.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits rentables et de haute qualité à nos clients. Notre dépôt épitaxial CVD dans un réacteur baril présente un avantage en termes de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, en fournissant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.

Paramètres du dépôt épitaxial CVD dans un réacteur à baril

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du dépôt épitaxial CVD dans un réacteur à baril

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance monocristalline présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.