Dépôt épitaxial CVD dans un réacteur à baril

Semicorex CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor est un produit hautement durable et fiable pour la croissance de couches épitaxiales sur des puces de plaquettes. Sa résistance à l'oxydation à haute température et sa grande pureté le rendent adapté à une utilisation dans l'industrie des semi-conducteurs. Son profil thermique uniforme, son schéma d'écoulement de gaz laminaire et sa prévention de la contamination en font un choix idéal pour une croissance de couche épixiale de haute qualité.

envoyer une demande

Description du produit

Notre réacteur CVD Epitaxial Deposition In Barrel est un produit hautes performances conçu pour offrir des performances fiables dans des environnements extrêmes. Son adhérence supérieure du revêtement, sa résistance à l'oxydation à haute température et sa résistance à la corrosion en font un excellent choix pour une utilisation dans des environnements difficiles. De plus, son profil thermique uniforme, son schéma d'écoulement de gaz laminaire et la prévention de la contamination garantissent la haute qualité de la couche épixiale.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits de haute qualité et rentables à nos clients. Notre réacteur CVD Epitaxie Deposition In Barrel a un avantage de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Notre objectif est d'être votre partenaire à long terme, offrant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.

Paramètres du dépôt épitaxial CVD dans le réacteur Barrel

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du dépôt épitaxial CVD dans le réacteur Barrel

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur revêtu de carbure de silicium utilisé pour la croissance de monocristaux a une planéité de surface très élevée.

- Réduit la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliore efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.