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Suscepteur de corps durable à revêtement SiC

Suscepteur de corps durable à revêtement SiC

Avec son excellente densité et conductivité thermique, le suscepteur cylindrique à revêtement SiC durable Semicorex est le choix idéal pour une utilisation dans les processus épitaxiaux et d'autres applications de fabrication de semi-conducteurs. Son revêtement SiC de haute pureté offre des propriétés supérieures de protection et de répartition de la chaleur, ce qui en fait le choix idéal pour des résultats fiables et cohérents.

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Description du produit

Si vous avez besoin d'un suscepteur en graphite de haute qualité offrant une résistance supérieure à la chaleur et à la corrosion, ne cherchez pas plus loin que le suscepteur à baril à revêtement SiC durable Semicorex. Son revêtement en carbure de silicium offre une conductivité thermique et une répartition de la chaleur exceptionnelles, garantissant des performances fiables et constantes même dans les environnements à haute température les plus exigeants.
Notre suscepteur de baril durable à revêtement SiC est conçu pour obtenir le meilleur modèle de flux de gaz laminaire, garantissant ainsi l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, garantissant ainsi une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre suscepteur de baril durable à revêtement SiC.


Paramètres du suscepteur de baril durable à revêtement SiC

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure en cristal

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille d'un grain

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module d'Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques du suscepteur de baril durable à revêtement SiC

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance monocristalline présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.




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