Suscepteur de barillet à revêtement SiC durable pour LPE

Avec son excellente densité et sa conductivité thermique, le suscepteur cylindrique à revêtement SiC durable Semicorex pour LPE est le choix idéal pour une utilisation dans les processus LPE et d'autres applications de fabrication de semi-conducteurs. Son revêtement SiC de haute pureté offre des propriétés supérieures de protection et de répartition de la chaleur, ce qui en fait le choix incontournable pour des résultats fiables et cohérents.

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Description du produit

Si vous avez besoin d'un suscepteur en graphite de haute qualité avec une résistance supérieure à la chaleur et à la corrosion, ne cherchez pas plus loin que le suscepteur à barillet à revêtement SiC durable Semicorex pour LPE. Son revêtement en carbure de silicium offre une conductivité thermique et une répartition de la chaleur exceptionnelles, garantissant des performances fiables et constantes même dans les environnements à haute température les plus exigeants.

Notre suscepteur de baril durable revêtu de SiC pour LPE est conçu pour obtenir le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, assurant l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, assurant une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce de plaquette.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre suscepteur de barillet à revêtement SiC durable pour LPE.

Paramètres du suscepteur de barillet revêtu de SiC durable pour LPE

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur de barillet à revêtement SiC durable pour LPE

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur revêtu de carbure de silicium utilisé pour la croissance de monocristaux a une planéité de surface très élevée.

- Réduit la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliore efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.

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