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Suscepteur de corps à revêtement SiC haute température

Suscepteur de corps à revêtement SiC haute température

Lorsqu'il s'agit de fabrication de semi-conducteurs, le suscepteur cylindrique à revêtement SiC haute température Semicorex est le premier choix pour des performances et une fiabilité supérieures. Son revêtement SiC de haute qualité et sa conductivité thermique exceptionnelle le rendent idéal pour une utilisation même dans les environnements corrosifs et à haute température les plus exigeants.

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Description du produit

Le suscepteur cylindrique à revêtement SiC haute température Semicorex est le choix idéal pour la croissance de monocristaux et d'autres applications de fabrication de semi-conducteurs qui nécessitent une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion. Son revêtement en carbure de silicium offre des propriétés supérieures de protection et de répartition de la chaleur, garantissant des performances fiables et constantes, même dans les environnements les plus difficiles.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de suscepteurs à barillet à revêtement SiC haute température, de haute qualité et économiques, nous accordons la priorité à la satisfaction du client et fournissons des solutions rentables. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme, en fournissant des produits de haute qualité et un service client exceptionnel.


Paramètres du suscepteur de baril à revêtement SiC haute température

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure en cristal

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille d'un grain

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module d'Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques du suscepteur cylindrique à revêtement SiC haute température

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance des monocristaux présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.




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