Suscepteur de barillet revêtu de SiC haute température

En ce qui concerne la fabrication de semi-conducteurs, le suscepteur cylindrique revêtu de SiC haute température Semicorex est le premier choix pour des performances et une fiabilité supérieures. Son revêtement SiC de haute qualité et sa conductivité thermique exceptionnelle le rendent idéal pour une utilisation même dans les environnements à haute température et corrosifs les plus exigeants.

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Description du produit

Le suscepteur cylindrique revêtu de SiC haute température Semicorex est le choix parfait pour la croissance de monocristaux et d'autres applications de fabrication de semi-conducteurs qui nécessitent une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion. Son revêtement en carbure de silicium offre des propriétés supérieures de protection et de répartition de la chaleur, garantissant des performances fiables et constantes même dans les environnements les plus difficiles.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture d'un suscepteur de barillet revêtu de SiC haute température de haute qualité et rentable, nous accordons la priorité à la satisfaction du client et fournissons des solutions rentables. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme, offrant des produits de haute qualité et un service client exceptionnel.

Paramètres du suscepteur de barillet revêtu de SiC à haute température

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur de barillet revêtu de SiC haute température

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur revêtu de carbure de silicium utilisé pour la croissance de monocristaux a une planéité de surface très élevée.

- Réduit la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliore efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.

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