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Système Epi à baril chauffé par induction

Système Epi à baril chauffé par induction

Si vous avez besoin d'un suscepteur en graphite doté de propriétés exceptionnelles de conductivité thermique et de répartition de la chaleur, ne cherchez pas plus loin que le système Epi à baril chauffé par induction Semicorex. Son revêtement SiC de haute pureté offre une protection supérieure dans les environnements corrosifs et à haute température, ce qui en fait le choix idéal pour une utilisation dans les applications de fabrication de semi-conducteurs.

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Description du produit

Le système Epi à barillet chauffé par induction Semicorex est le choix idéal pour les applications de fabrication de semi-conducteurs qui nécessitent une distribution de chaleur et une conductivité thermique exceptionnelles. Son revêtement SiC de haute pureté et sa densité supérieure offrent des propriétés supérieures de protection et de répartition de la chaleur, garantissant des performances fiables et constantes, même dans les environnements les plus difficiles.
Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits rentables et de haute qualité à nos clients. Notre système Epi de baril chauffé par induction présente un avantage de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, en fournissant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.


Paramètres du système Epi à baril chauffé par induction

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure en cristal

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille d'un grain

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module d'Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques du système Epi à baril chauffé par induction

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance monocristalline présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.




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