Système Epi à baril chauffé par induction pour l'épitaxie LPE

Si vous avez besoin d'un suscepteur en graphite avec des propriétés de conductivité thermique et de répartition de la chaleur exceptionnelles, ne cherchez pas plus loin que le système Epi à baril chauffé par induction Semicorex pour l'épitaxie LPE. Son revêtement SiC de haute pureté offre une protection supérieure dans les environnements à haute température et corrosifs, ce qui en fait le choix idéal pour une utilisation dans les applications de fabrication de semi-conducteurs.

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Description du produit

Le système Epi à baril chauffé par induction de Semicorex pour l'épitaxie LPE est le choix parfait pour les applications de fabrication de semi-conducteurs qui nécessitent une distribution de chaleur et une conductivité thermique exceptionnelles. Son revêtement SiC de haute pureté et sa densité supérieure offrent des propriétés de protection et de répartition de la chaleur supérieures, garantissant des performances fiables et constantes même dans les environnements les plus difficiles.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits de haute qualité et rentables à nos clients. Notre système Epi à baril chauffé par induction pour l'épitaxie LPE a un avantage de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, offrant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.

Paramètres du système Epi à baril chauffé par induction pour l'épitaxie LPE

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du système Epi à baril chauffé par induction pour l'épitaxie LPE

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur revêtu de carbure de silicium utilisé pour la croissance de monocristaux a une planéité de surface très élevée.

- Réduit la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliore efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.

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