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Suscepteur en barillet avec revêtement SiC dans les semi-conducteurs

Suscepteur en barillet avec revêtement SiC dans les semi-conducteurs

Si vous recherchez un suscepteur en graphite de haute qualité recouvert de SiC de haute pureté, le suscepteur Semicorex Barrel avec revêtement SiC en semi-conducteur est le choix parfait. Ses propriétés exceptionnelles de conductivité thermique et de répartition de la chaleur le rendent idéal pour une utilisation dans les applications de fabrication de semi-conducteurs.

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Description du produit

Le suscepteur Semicorex Barrel avec revêtement SiC en semi-conducteur est un produit en graphite de qualité supérieure recouvert de SiC de haute pureté, ce qui en fait le choix idéal pour une utilisation dans des environnements corrosifs et à haute température. Son excellente densité et conductivité thermique offrent une distribution de chaleur et une protection exceptionnelles dans les applications de fabrication de semi-conducteurs.
Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits rentables et de haute qualité à nos clients. Notre suscepteur cylindrique avec revêtement SiC dans les semi-conducteurs présente un avantage en termes de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, en fournissant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.


Paramètres du suscepteur en baril avec revêtement SiC dans les semi-conducteurs

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure en cristal

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille d'un grain

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module d'Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques du suscepteur en baril avec revêtement SiC dans les semi-conducteurs

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance monocristalline présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.




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