Support RTP pour la croissance épitaxiale MOCVD

Le support Semicorex RTP pour la croissance épitaxiale MOCVD est idéal pour les applications de traitement de tranches de semi-conducteurs, y compris la croissance épitaxiale et le traitement de manipulation de tranches. Les suscepteurs en graphite de carbone et les creusets en quartz sont traités par MOCVD à la surface du graphite, de la céramique, etc. Nos produits ont un bon avantage de prix et couvrent de nombreux marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Semicorex fournit le support RTP pour la croissance épitaxiale MOCVD utilisé pour supporter les plaquettes, ce qui est vraiment stable pour le RTA, le RTP ou le nettoyage chimique agressif. Au cœur du processus, les suscepteurs d'épitaxie sont d'abord soumis à l'environnement de dépôt, de sorte qu'ils présentent une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion. Le support revêtu de SiC a également une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.
Notre support RTP pour la croissance épitaxiale MOCVD est conçu pour obtenir le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, garantissant l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, assurant une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce de plaquette.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre support RTP pour la croissance épitaxiale MOCVD.

Paramètres du transporteur RTP pour la croissance épitaxiale MOCVD

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du support RTP pour la croissance épitaxiale MOCVD

Graphite recouvert de SiC de haute pureté
Résistance à la chaleur supérieure et uniformité thermique
Cristal de SiC fin enduit pour une surface lisse
Haute durabilité contre le nettoyage chimique
Le matériau est conçu pour éviter les fissures et le délaminage.