Support RTP pour la croissance épitaxiale MOCVD

Le support Semicorex RTP pour la croissance épitaxiale MOCVD est idéal pour les applications de traitement de tranches de semi-conducteurs, y compris le traitement de croissance épitaxiale et de manipulation de tranches. Les suscepteurs en graphite de carbone et les creusets en quartz sont traités par MOCVD sur la surface du graphite, de la céramique, etc. Nos produits ont un bon avantage en termes de prix et couvrent de nombreux marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Semicorex fournit un support RTP pour la croissance épitaxiale MOCVD utilisé pour supporter les plaquettes, qui est vraiment stable pour le RTA, le RTP ou le nettoyage chimique agressif. Au cœur du processus, les suscepteurs d'épitaxie sont d'abord soumis à l'environnement de dépôt, ce qui leur confère une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion. Le support revêtu de SiC présente également une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.
Notre support RTP pour la croissance épitaxiale MOCVD est conçu pour obtenir le meilleur modèle de flux de gaz laminaire, garantissant ainsi l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, garantissant ainsi une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre support RTP pour la croissance épitaxiale MOCVD.

Paramètres du transporteur RTP pour la croissance épitaxiale MOCVD

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du support RTP pour la croissance épitaxiale MOCVD

Graphite revêtu de SiC de haute pureté
Résistance thermique et uniformité thermique supérieures
Cristal SiC fin recouvert pour une surface lisse
Haute durabilité contre le nettoyage chimique
Le matériau est conçu de manière à éviter les fissures et le délaminage.