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Plaque support RTP revêtue de SiC pour la croissance épitaxiale

Plaque support RTP revêtue de SiC pour la croissance épitaxiale

La plaque support RTP avec revêtement SiC Semicorex pour croissance épitaxiale est la solution parfaite pour les applications de traitement de plaquettes semi-conductrices. Avec ses suscepteurs en graphite de carbone de haute qualité et ses creusets en quartz traités par MOCVD sur la surface du graphite, de la céramique, etc., ce produit est idéal pour la manipulation de plaquettes et le traitement de croissance épitaxiale. Le support revêtu de SiC garantit une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur, ce qui en fait un choix fiable pour le nettoyage RTA, RTP ou chimique agressif.

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Description du produit

Notre plaque support RTP revêtue de SiC pour la croissance épitaxiale est conçue pour résister aux conditions les plus difficiles de l'environnement de dépôt. Grâce à leur résistance élevée à la chaleur et à la corrosion, les suscepteurs d'épitaxie sont soumis à un environnement de dépôt parfait pour la croissance épitaxiale. Le revêtement fin en cristal SiC sur le support garantit une surface lisse et une grande durabilité contre le nettoyage chimique, tandis que le matériau est conçu pour éviter les fissures et le délaminage.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre plaque support RTP à revêtement SiC pour la croissance épitaxiale.


Paramètres de la plaque porteuse RTP revêtue de SiC pour la croissance épitaxiale

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure cristalline

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille des grains

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module de Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques de la plaque porteuse RTP à revêtement SiC pour la croissance épitaxiale

Graphite revêtu de SiC de haute pureté
Résistance thermique supérieure et uniformité thermique
Cristal SiC fin recouvert pour une surface lisse
Haute durabilité contre le nettoyage chimique
Le matériau est conçu de manière à éviter les fissures et le délaminage.





Balises actives: Plaque porteuse RTP revêtue de SiC pour la croissance épitaxiale, Chine, fabricants, fournisseurs, usine, personnalisée, en vrac, avancée, durable
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