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Plaque de support RTP revêtue de SiC pour la croissance épitaxiale

Plaque de support RTP revêtue de SiC pour la croissance épitaxiale

La plaque de support RTP revêtue de SiC Semicorex pour la croissance épitaxiale est la solution parfaite pour les applications de traitement de tranches de semi-conducteurs. Avec ses suscepteurs en graphite de carbone de haute qualité et ses creusets en quartz traités par MOCVD à la surface du graphite, de la céramique, etc., ce produit est idéal pour la manipulation de plaquettes et le traitement de croissance épitaxiale. Le support revêtu de SiC assure une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur, ce qui en fait un choix fiable pour le RTA, le RTP ou le nettoyage chimique agressif.

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Description du produit

Notre plaque de support RTP revêtue de SiC pour la croissance épitaxiale est conçue pour résister aux conditions les plus difficiles de l'environnement de dépôt. Avec sa résistance élevée à la chaleur et à la corrosion, les suscepteurs d'épitaxie sont soumis à un environnement de dépôt parfait pour la croissance épitaxiale. Le revêtement en cristal SiC fin sur le support assure une surface lisse et une grande durabilité contre le nettoyage chimique, tandis que le matériau est conçu pour éviter les fissures et le délaminage.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre plaque de support RTP revêtue de SiC pour la croissance épitaxiale.


Paramètres de la plaque de support RTP revêtue de SiC pour la croissance épitaxiale

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure en cristal

Phase β FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille d'un grain

μm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J·kg-1 ·K-1

640

Température de sublimation

2700

Force Felexurale

MPa (RT 4 points)

415

Module de Young

Gpa (pli 4pt, 1300â)

430

Dilatation Thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques de la plaque de support RTP revêtue de SiC pour la croissance épitaxiale

Graphite recouvert de SiC de haute pureté
Résistance à la chaleur supérieure et uniformité thermique
Cristal de SiC fin enduit pour une surface lisse
Haute durabilité contre le nettoyage chimique
Le matériau est conçu pour éviter les fissures et le délaminage.





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