Plaque de support RTP en graphite SiC pour MOCVD

La plaque support RTP en graphite SiC Semicorex pour MOCVD offre une résistance thermique et une uniformité thermique supérieures, ce qui en fait la solution parfaite pour les applications de traitement de plaquettes de semi-conducteurs. Avec un graphite revêtu de SiC de haute qualité, ce produit est conçu pour résister aux environnements de dépôt les plus difficiles pour la croissance épitaxiale. La conductivité thermique élevée et les excellentes propriétés de répartition de la chaleur garantissent des performances fiables pour le nettoyage RTA, RTP ou chimique agressif.

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Description du produit

Notre plaque porteuse RTP en graphite SiC pour MOCVD pour la croissance épitaxiale MOCVD est la solution parfaite pour la manipulation des plaquettes et le traitement de la croissance épitaxiale. Avec une surface lisse et une grande durabilité contre le nettoyage chimique, ce produit garantit des performances fiables dans les environnements de dépôt difficiles.
Le matériau de notre plaque de support RTP en graphite SiC pour MOCVD est conçu pour éviter les fissures et le délaminage, tandis que la résistance thermique supérieure et l'uniformité thermique garantissent des performances constantes pour le RTA, le RTP ou le nettoyage chimique agressif.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre plaque de support RTP en graphite SiC pour MOCVD.

Paramètres de la plaque de support RTP en graphite SiC pour MOCVD

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques de la plaque support RTP en graphite SiC pour MOCVD

Graphite revêtu de SiC de haute pureté
Résistance thermique et uniformité thermique supérieures
Cristal SiC fin recouvert pour une surface lisse
Haute durabilité contre le nettoyage chimique
Le matériau est conçu de manière à éviter les fissures et le délaminage.