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Plaque de support SiC Graphite RTP pour MOCVD

Plaque de support SiC Graphite RTP pour MOCVD

La plaque de support Semicorex SiC Graphite RTP pour MOCVD offre une résistance à la chaleur et une uniformité thermique supérieures, ce qui en fait la solution parfaite pour les applications de traitement de tranches de semi-conducteurs. Avec un graphite revêtu de SiC de haute qualité, ce produit est conçu pour résister aux environnements de dépôt les plus difficiles pour la croissance épitaxiale. La conductivité thermique élevée et les excellentes propriétés de distribution de la chaleur garantissent des performances fiables pour le nettoyage RTA, RTP ou chimique agressif.

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Description du produit

Notre plaque de support SiC Graphite RTP pour MOCVD pour croissance épitaxiale MOCVD est la solution parfaite pour la manipulation de plaquettes et le traitement de croissance épitaxiale. Avec une surface lisse et une grande durabilité contre le nettoyage chimique, ce produit garantit des performances fiables dans les environnements de dépôt difficiles.
Le matériau de notre plaque de support RTP en graphite SiC pour MOCVD est conçu pour éviter les fissures et le délaminage, tandis que la résistance à la chaleur et l'uniformité thermique supérieures garantissent des performances constantes pour le RTA, le RTP ou le nettoyage chimique agressif.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre plaque de support SiC Graphite RTP pour MOCVD.


Paramètres de la plaque de support SiC Graphite RTP pour MOCVD

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure en cristal

Phase β FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille d'un grain

μm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J·kg-1 ·K-1

640

Température de sublimation

2700

Force Felexurale

MPa (RT 4 points)

415

Module de Young

Gpa (pli 4pt, 1300â)

430

Dilatation Thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques de la plaque de support SiC Graphite RTP pour MOCVD

Graphite recouvert de SiC de haute pureté
Résistance à la chaleur supérieure et uniformité thermique
Cristal de SiC fin enduit pour une surface lisse
Haute durabilité contre le nettoyage chimique
Le matériau est conçu pour éviter les fissures et le délaminage.





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