Le support de revêtement Semicorex RTP/RTA SiC est conçu pour résister aux conditions les plus difficiles de l'environnement de dépôt. Grâce à sa résistance élevée à la chaleur et à la corrosion, ce produit est conçu pour offrir des performances optimales pour la croissance épitaxiale. Le support revêtu de SiC présente une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur, garantissant des performances fiables pour le nettoyage RTA, RTP ou chimique agressif.
Notre support de revêtement RTP/RTA SiC pour la croissance épitaxiale MOCVD est la solution parfaite pour la manipulation des plaquettes et le traitement de la croissance épitaxiale. Avec une surface lisse et une grande durabilité contre le nettoyage chimique, ce produit offre des performances fiables dans les environnements de dépôt difficiles.
Le matériau de notre support de revêtement RTP/RTA SiC est conçu pour éviter les fissures et le délaminage, tandis que la résistance thermique supérieure et l'uniformité thermique garantissent des performances constantes pour le RTA, le RTP ou le nettoyage chimique agressif.
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Paramètres du support de revêtement RTP/RTA SiC
Principales spécifications du revêtement CVD-SIC |
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Propriétés SiC-CVD |
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Structure cristalline |
Phase β du FCC |
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Densité |
g/cm³ |
3.21 |
Dureté |
Dureté Vickers |
2500 |
Taille des grains |
µm |
2~10 |
Pureté chimique |
% |
99.99995 |
Capacité thermique |
J kg-1 K-1 |
640 |
Température de sublimation |
℃ |
2700 |
Force de flexion |
MPa (RT 4 points) |
415 |
Module de Young |
Gpa (courbure 4pt, 1300℃) |
430 |
Expansion thermique (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conductivité thermique |
(W/mK) |
300 |
Caractéristiques du support de revêtement RTP/RTA SiC
Graphite revêtu de SiC de haute pureté
Résistance thermique supérieure et uniformité thermique
Cristal SiC fin recouvert pour une surface lisse
Haute durabilité contre le nettoyage chimique
Le matériau est conçu de manière à éviter les fissures et le délaminage.