Semicorex RTP/RTA SiC Coating Carrier est conçu pour résister aux conditions les plus difficiles de l'environnement de dépôt. Grâce à sa haute résistance à la chaleur et à la corrosion, ce produit est conçu pour fournir des performances optimales pour la croissance épitaxiale. Le support revêtu de SiC a une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur, garantissant des performances fiables pour le RTA, le RTP ou le nettoyage chimique agressif.
Notre support de revêtement SiC RTP/RTA pour la croissance épitaxiale MOCVD est la solution parfaite pour la manipulation de plaquettes et le traitement de croissance épitaxiale. Avec une surface lisse et une grande durabilité contre le nettoyage chimique, ce produit offre des performances fiables dans les environnements de dépôt difficiles.
Le matériau de notre support de revêtement RTP/RTA SiC est conçu pour éviter les fissures et le délaminage, tandis que la résistance à la chaleur et l'uniformité thermique supérieures garantissent des performances constantes pour le RTA, le RTP ou le nettoyage chimique agressif.
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Paramètres du support de revêtement RTP/RTA SiC
Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC |
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Propriétés SiC-CVD |
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Structure en cristal |
Phase β FCC |
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Densité |
g/cm³ |
3.21 |
Dureté |
Dureté Vickers |
2500 |
Taille d'un grain |
μm |
2~10 |
Pureté chimique |
% |
99.99995 |
Capacité thermique |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Température de sublimation |
℃ |
2700 |
Force Felexurale |
MPa (RT 4 points) |
415 |
Module de Young |
Gpa (pli 4pt, 1300â) |
430 |
Dilatation Thermique (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conductivité thermique |
(W/mK) |
300 |
Caractéristiques du support de revêtement RTP/RTA SiC
Graphite recouvert de SiC de haute pureté
Résistance à la chaleur supérieure et uniformité thermique
Cristal de SiC fin enduit pour une surface lisse
Haute durabilité contre le nettoyage chimique
Le matériau est conçu pour éviter les fissures et le délaminage.