Plaque support en graphite RTP

Plaque support en graphite RTP

La plaque porteuse en graphite RTP de Semicorex est la solution parfaite pour les applications de traitement de tranches de semi-conducteurs, y compris le traitement de croissance épitaxiale et de manipulation de tranches. Notre produit est conçu pour offrir une résistance thermique et une uniformité thermique supérieures, garantissant que les suscepteurs d'épitaxie sont soumis à l'environnement de dépôt, avec une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion.

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Description du produit

Notre produit contient du graphite recouvert de SiC de haute pureté, qui offre d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur, garantissant que le support revêtu de SiC a une surface lisse, exempte de fissures et de délaminage. Notre plaque de support en graphite RTP est finement recouverte de carbure de silicium, garantissant que la surface est lisse et exempte de tout défaut. Ce produit est très résistant aux nettoyages chimiques agressifs et est conçu pour garantir l’absence de fissures et de délaminage.
Nous offrons un avantage de prix que nos concurrents ne peuvent égaler et nous nous engageons à devenir votre partenaire à long terme en Chine.
Avec notre plaque de support en graphite RTP, vous pouvez être assuré d'excellentes performances, d'une résistance thermique supérieure et d'une uniformité thermique. Le support recouvert de SiC est conçu pour résister à des températures élevées et est très résistant au nettoyage chimique, garantissant ainsi sa durée de vie de nombreuses années. Notre produit est également conçu pour être facile à utiliser, ce qui le rend idéal aussi bien pour les utilisateurs débutants que expérimentés.
Chez Semicorex, nous nous engageons à fournir des produits et services de haute qualité à nos clients. Nous utilisons uniquement les meilleurs matériaux et nos produits sont conçus pour répondre aux plus hauts standards de qualité et de performance. Notre plaque support en graphite RTP ne fait pas exception. Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur la manière dont nous pouvons vous aider avec vos besoins en matière de traitement de plaquettes semi-conductrices.


Paramètres de la plaque porteuse en graphite RTP

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure cristalline

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille des grains

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module de Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques de la plaque support en graphite RTP

Graphite revêtu de SiC de haute pureté
Résistance thermique supérieure et uniformité thermique
Cristal SiC fin recouvert pour une surface lisse
Haute durabilité contre le nettoyage chimique
Le matériau est conçu de manière à éviter les fissures et le délaminage.





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