La plaque porteuse en graphite RTP de Semicorex est la solution parfaite pour les applications de traitement de tranches de semi-conducteurs, y compris le traitement de croissance épitaxiale et de manipulation de tranches. Notre produit est conçu pour offrir une résistance thermique et une uniformité thermique supérieures, garantissant que les suscepteurs d'épitaxie sont soumis à l'environnement de dépôt, avec une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion.
Notre produit contient du graphite recouvert de SiC de haute pureté, qui offre d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur, garantissant que le support revêtu de SiC a une surface lisse, exempte de fissures et de délaminage. Notre plaque de support en graphite RTP est finement recouverte de carbure de silicium, garantissant que la surface est lisse et exempte de tout défaut. Ce produit est très résistant aux nettoyages chimiques agressifs et est conçu pour garantir l’absence de fissures et de délaminage.
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Avec notre plaque de support en graphite RTP, vous pouvez être assuré d'excellentes performances, d'une résistance thermique supérieure et d'une uniformité thermique. Le support recouvert de SiC est conçu pour résister à des températures élevées et est très résistant au nettoyage chimique, garantissant ainsi sa durée de vie de nombreuses années. Notre produit est également conçu pour être facile à utiliser, ce qui le rend idéal aussi bien pour les utilisateurs débutants que expérimentés.
Chez Semicorex, nous nous engageons à fournir des produits et services de haute qualité à nos clients. Nous utilisons uniquement les meilleurs matériaux et nos produits sont conçus pour répondre aux plus hauts standards de qualité et de performance. Notre plaque support en graphite RTP ne fait pas exception. Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur la manière dont nous pouvons vous aider avec vos besoins en matière de traitement de plaquettes semi-conductrices.
Paramètres de la plaque porteuse en graphite RTP
Principales spécifications du revêtement CVD-SIC |
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Propriétés SiC-CVD |
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Structure cristalline |
Phase β du FCC |
|
Densité |
g/cm³ |
3.21 |
Dureté |
Dureté Vickers |
2500 |
Taille des grains |
µm |
2~10 |
Pureté chimique |
% |
99.99995 |
Capacité thermique |
J kg-1 K-1 |
640 |
Température de sublimation |
℃ |
2700 |
Force de flexion |
MPa (RT 4 points) |
415 |
Module de Young |
Gpa (courbure 4pt, 1300℃) |
430 |
Expansion thermique (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conductivité thermique |
(W/mK) |
300 |
Caractéristiques de la plaque support en graphite RTP
Graphite revêtu de SiC de haute pureté
Résistance thermique supérieure et uniformité thermique
Cristal SiC fin recouvert pour une surface lisse
Haute durabilité contre le nettoyage chimique
Le matériau est conçu de manière à éviter les fissures et le délaminage.