Suscepteur cylindrique revêtu de SiC pour la croissance épitaxiale

Avec sa densité et sa conductivité thermique supérieures, le suscepteur cylindrique à revêtement SiC Semicorex pour la croissance épitaxiale est le choix idéal pour une utilisation dans des environnements à haute température et corrosifs. Revêtu de SiC de haute pureté, ce produit en graphite offre une excellente protection et répartition de la chaleur, garantissant des performances fiables et constantes dans les applications de fabrication de semi-conducteurs.

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Description du produit

Le suscepteur cylindrique revêtu de SiC Semicorex pour la croissance épitaxiale est le choix idéal pour la formation de couches épixiales sur des tranches de semi-conducteurs, grâce à ses excellentes propriétés de conductivité thermique et de distribution de la chaleur. Son revêtement en carbure de silicium offre une protection supérieure même dans les environnements à haute température et corrosifs les plus exigeants.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits de haute qualité et rentables à nos clients. Notre suscepteur de barillet revêtu de SiC pour la croissance épitaxiale a un avantage de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Notre objectif est d'être votre partenaire à long terme, offrant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.

Paramètres du suscepteur de barillet revêtu de SiC pour la croissance épitaxiale

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur cylindrique revêtu de SiC pour la croissance épitaxiale

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur revêtu de carbure de silicium utilisé pour la croissance de monocristaux a une planéité de surface très élevée.

- Réduit la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliore efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.

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