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Suscepteur de baril recouvert de SiC pour la croissance épitaxiale

Suscepteur de baril recouvert de SiC pour la croissance épitaxiale

Avec sa densité et sa conductivité thermique supérieures, le suscepteur en baril à revêtement SiC Semicorex pour la croissance épitaxiale est le choix idéal pour une utilisation dans des environnements corrosifs et à haute température. Revêtu de SiC de haute pureté, ce produit en graphite offre une excellente protection et répartition de la chaleur, garantissant des performances fiables et constantes dans les applications de fabrication de semi-conducteurs.

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Description du produit

Le suscepteur cylindrique à revêtement SiC Semicorex pour croissance épitaxiale est le choix idéal pour la formation de couches épixiales sur des tranches semi-conductrices, grâce à ses excellentes propriétés de conductivité thermique et de distribution de chaleur. Son revêtement en carbure de silicium offre une protection supérieure, même dans les environnements corrosifs et à haute température les plus exigeants.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits rentables et de haute qualité à nos clients. Notre suscepteur en baril revêtu de SiC pour la croissance épitaxiale présente un avantage en termes de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, en fournissant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.


Paramètres du suscepteur de baril revêtu de SiC pour la croissance épitaxiale

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure en cristal

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille d'un grain

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module d'Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques du suscepteur à baril revêtu de SiC pour la croissance épitaxiale

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance des monocristaux présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.




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