Suscepteur de baril revêtu de SiC pour la croissance épitaxiale

Le suscepteur cylindrique à revêtement SiC Semicorex pour croissance épitaxiale est le choix idéal pour la formation de couches épixiales sur des tranches semi-conductrices, grâce à ses excellentes propriétés de conductivité thermique et de distribution de chaleur. Son revêtement en carbure de silicium offre une protection supérieure, même dans les environnements corrosifs et à haute température les plus exigeants.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits rentables et de haute qualité à nos clients. Notre suscepteur en baril revêtu de SiC pour la croissance épitaxiale présente un avantage en termes de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, en fournissant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.

Paramètres du suscepteur de baril revêtu de SiC pour la croissance épitaxiale

Caractéristiques du suscepteur à baril revêtu de SiC pour la croissance épitaxiale

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance des monocristaux présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.