Suscepteur de barillet revêtu de SiC pour la croissance épitaxiale de LPE

Semicorex SiC Coated Barrel Susceptor for LPE Epitax Growth est un produit haute performance conçu pour fournir des performances constantes et fiables sur une période prolongée. Son profil thermique uniforme, son schéma d'écoulement de gaz laminaire et sa prévention de la contamination en font un choix idéal pour la croissance de couches épitaxiales de haute qualité sur des puces de plaquettes. Sa personnalisation et sa rentabilité en font un produit hautement compétitif sur le marché.

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Description du produit

Notre suscepteur cylindrique revêtu de SiC pour la croissance épitaxiale LPE est un produit fiable et de haute qualité qui offre un excellent rapport qualité-prix. Sa résistance à l'oxydation à haute température, son profil thermique uniforme et sa prévention de la contamination en font un choix idéal pour la croissance de couches épitaxiales de haute qualité sur des puces de plaquettes. Ses faibles besoins de maintenance et sa personnalisation en font un produit hautement compétitif sur le marché.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre suscepteur cylindrique revêtu de SiC pour la croissance épitaxiale LPE.

Paramètres du suscepteur cylindrique revêtu de SiC pour la croissance épitaxiale LPE

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur cylindrique revêtu de SiC pour la croissance épitaxiale LPE

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur revêtu de carbure de silicium utilisé pour la croissance de monocristaux a une planéité de surface très élevée.

- Réduit la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliore efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.

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