Suscepteur de baril revêtu de SiC pour la croissance épitaxiale LPE

Notre suscepteur en baril revêtu de SiC pour la croissance épitaxiale LPE est un produit fiable et de haute qualité qui offre un excellent rapport qualité-prix. Sa résistance à l'oxydation à haute température, son profil thermique uniforme et sa prévention de la contamination en font un choix idéal pour la croissance de couches épitaxiales de haute qualité sur des puces de tranche. Ses faibles besoins de maintenance et sa personnalisation en font un produit hautement compétitif sur le marché.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre suscepteur en baril à revêtement SiC pour la croissance épitaxiale LPE.

Paramètres du suscepteur de baril revêtu de SiC pour la croissance épitaxiale LPE

Caractéristiques du suscepteur à baril revêtu de SiC pour la croissance épitaxiale LPE

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance des monocristaux présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.