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Suscepteur à baril recouvert de SiC pour l'épitaxie de plaquettes

Suscepteur à baril recouvert de SiC pour l'épitaxie de plaquettes

Le suscepteur cylindrique à revêtement SiC Semicorex pour épitaxie de plaquettes est le choix idéal pour les applications de croissance de monocristaux, grâce à sa surface exceptionnellement plate et à son revêtement SiC de haute qualité. Son point de fusion élevé, sa résistance à l’oxydation et à la corrosion en font un choix idéal pour une utilisation dans des environnements corrosifs et à haute température.

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Description du produit

Vous recherchez un suscepteur en graphite avec une répartition thermique et une conductivité thermique exceptionnelles ? Ne cherchez pas plus loin que le suscepteur cylindrique à revêtement SiC Semicorex pour épitaxie de tranches, recouvert de SiC de haute pureté pour des performances supérieures dans les processus d'épitaxie et autres applications de fabrication de semi-conducteurs.
Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits rentables et de haute qualité à nos clients. Notre suscepteur cylindrique à revêtement SiC pour épitaxie de plaquettes présente un avantage en termes de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, en fournissant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.


Paramètres du suscepteur à baril revêtu de SiC pour l'épitaxie de plaquettes

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure en cristal

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille d'un grain

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module d'Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques du suscepteur à baril revêtu de SiC pour l'épitaxie de plaquettes

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance monocristalline présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.




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