Suscepteur de barillet revêtu de SiC pour LPE

Le suscepteur cylindrique à revêtement SiC Semicorex pour LPE est le choix idéal pour les applications de croissance de monocristaux, grâce à sa surface exceptionnellement plane et à son revêtement SiC de haute qualité. Son point de fusion élevé, sa résistance à l'oxydation et sa résistance à la corrosion en font un choix idéal pour une utilisation dans des environnements à haute température et corrosifs.

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Description du produit

Vous recherchez un suscepteur en graphite avec une distribution de chaleur et une conductivité thermique exceptionnelles ? Ne cherchez pas plus loin que le suscepteur cylindrique revêtu de SiC Semicorex pour LPE, revêtu de SiC de haute pureté pour des performances supérieures dans les processus LPE et d'autres applications de fabrication de semi-conducteurs.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits de haute qualité et rentables à nos clients. Notre suscepteur de barillet revêtu de SiC pour LPE a un avantage de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Notre objectif est d'être votre partenaire à long terme, offrant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.

Paramètres du suscepteur de barillet revêtu de SiC pour LPE

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur de barillet revêtu de SiC pour LPE

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur revêtu de carbure de silicium utilisé pour la croissance de monocristaux a une planéité de surface très élevée.

- Réduit la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliore efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.