Suscepteur à baril recouvert de SiC pour l'épitaxie de plaquettes

Vous recherchez un suscepteur en graphite avec une répartition thermique et une conductivité thermique exceptionnelles ? Ne cherchez pas plus loin que le suscepteur cylindrique à revêtement SiC Semicorex pour épitaxie de tranches, recouvert de SiC de haute pureté pour des performances supérieures dans les processus épitaxiaux et autres applications de fabrication de semi-conducteurs.
Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits rentables et de haute qualité à nos clients. Notre suscepteur cylindrique à revêtement SiC pour épitaxie de plaquettes présente un avantage en termes de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, en fournissant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.

Paramètres du suscepteur à baril revêtu de SiC pour l'épitaxie de plaquettes

Caractéristiques du suscepteur à baril revêtu de SiC pour l'épitaxie de plaquettes

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance des monocristaux présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.