Suscepteur de barillet en graphite revêtu de SiC

Si vous recherchez un suscepteur en graphite hautes performances pour une utilisation dans des applications de fabrication de semi-conducteurs, le suscepteur à barillet en graphite revêtu de SiC Semicorex est le choix idéal. Ses propriétés exceptionnelles de conductivité thermique et de distribution de la chaleur en font le choix incontournable pour des performances fiables et constantes dans des environnements à haute température et corrosifs.

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Description du produit

Le suscepteur cylindrique en graphite revêtu de SiC Semicorex est le choix parfait pour les applications de fabrication de semi-conducteurs qui nécessitent une distribution de chaleur et une conductivité thermique exceptionnelles. Son revêtement SiC de haute pureté et sa densité supérieure offrent des propriétés de protection et de répartition de la chaleur supérieures, garantissant des performances fiables et constantes même dans les environnements les plus difficiles.

Notre suscepteur de barillet en graphite revêtu de SiC est conçu pour obtenir le meilleur modèle d'écoulement de gaz laminaire, assurant l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, assurant une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce de plaquette.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre suscepteur de barillet en graphite revêtu de SiC.

Paramètres du suscepteur de barillet en graphite revêtu de SiC

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur de barillet en graphite revêtu de SiC

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur revêtu de carbure de silicium utilisé pour la croissance de monocristaux a une planéité de surface très élevée.

- Réduit la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliore efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.