Suscepteur de corps en graphite revêtu de SiC

Si vous recherchez un suscepteur en graphite haute performance à utiliser dans les applications de fabrication de semi-conducteurs, le suscepteur à corps en graphite à revêtement SiC Semicorex est le choix idéal. Ses propriétés exceptionnelles de conductivité thermique et de répartition de la chaleur en font le choix idéal pour des performances fiables et constantes dans des environnements corrosifs et à haute température.

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Description du produit

Le suscepteur à corps en graphite à revêtement SiC Semicorex est le choix idéal pour les applications de fabrication de semi-conducteurs qui nécessitent une distribution de chaleur et une conductivité thermique exceptionnelles. Son revêtement SiC de haute pureté et sa densité supérieure offrent des propriétés supérieures de protection et de répartition de la chaleur, garantissant des performances fiables et constantes, même dans les environnements les plus difficiles.

Notre suscepteur à baril en graphite revêtu de SiC est conçu pour obtenir le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, garantissant ainsi l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, garantissant ainsi une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre suscepteur en graphite à revêtement SiC.

Paramètres du suscepteur à baril en graphite revêtu de SiC

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur en graphite à revêtement SiC

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance des monocristaux présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.