Suscepteur de croissance cristalline recouvert de SiC

Avec son point de fusion élevé, sa résistance à l'oxydation et à la corrosion, le suscepteur de croissance cristalline à revêtement SiC Semicorex est le choix idéal pour une utilisation dans les applications de croissance monocristalline. Son revêtement en carbure de silicium offre d'excellentes propriétés de planéité et de répartition de la chaleur, ce qui en fait un choix idéal pour les environnements à haute température.

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Description du produit

Le suscepteur de croissance cristalline à revêtement SiC Semicorex est le choix idéal pour la formation de couches épitaxiales sur des tranches semi-conductrices, grâce à ses propriétés exceptionnelles de conductivité thermique et de distribution de chaleur. Son revêtement SiC de haute pureté offre une protection supérieure, même dans les environnements corrosifs et à haute température les plus exigeants.
Notre suscepteur de croissance cristalline revêtu de SiC est conçu pour obtenir le meilleur schéma de flux de gaz laminaire, garantissant ainsi l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, garantissant ainsi une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre suscepteur de croissance cristalline à revêtement SiC.

Paramètres du suscepteur de croissance cristalline recouvert de SiC

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur de croissance cristalline recouvert de SiC

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance monocristalline présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.