Suscepteur de croissance cristalline LPE revêtu de SiC

Avec son point de fusion élevé, sa résistance à l'oxydation et sa résistance à la corrosion, le suscepteur de croissance cristalline LPE revêtu de SiC Semicorex est le choix idéal pour une utilisation dans les applications de croissance monocristalline. Son revêtement en carbure de silicium offre d'excellentes propriétés de planéité et de répartition de la chaleur, ce qui en fait un choix idéal pour les environnements à haute température.

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Description du produit

Le suscepteur de croissance cristalline LPE revêtu de SiC de Semicorex est le choix idéal pour la formation de couches épixiales sur des tranches de semi-conducteurs, grâce à ses propriétés exceptionnelles de conductivité thermique et de distribution de chaleur. Son revêtement SiC haute pureté offre une protection supérieure même dans les environnements à haute température et corrosifs les plus exigeants.

Notre suscepteur de croissance cristalline LPE revêtu de SiC est conçu pour obtenir le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, garantissant l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, assurant une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce de plaquette.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre suscepteur de croissance cristalline LPE revêtu de SiC.

Paramètres du suscepteur de croissance cristalline LPE revêtu de SiC

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur de croissance cristalline LPE revêtu de SiC

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur revêtu de carbure de silicium utilisé pour la croissance de monocristaux a une planéité de surface très élevée.

- Réduit la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliore efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.

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