Corps en graphite revêtu de carbure de silicium

Le corps en graphite revêtu de carbure de silicium Semicorex est le choix parfait pour les applications de fabrication de semi-conducteurs qui nécessitent une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion. Ses propriétés exceptionnelles de conductivité thermique et de répartition de la chaleur le rendent idéal pour une utilisation dans les procédés LPE et autres environnements à haute température.

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Description du produit

En ce qui concerne la fabrication de semi-conducteurs, le corps en graphite revêtu de carbure de silicium Semicorex est le premier choix pour des performances et une fiabilité exceptionnelles. Son revêtement SiC de haute qualité ainsi que sa densité et sa conductivité thermique supérieures offrent une répartition et une protection supérieures de la chaleur, même dans les environnements à haute température et corrosifs les plus difficiles.

Notre corps en graphite revêtu de carbure de silicium assure un profil thermique uniforme, garantissant le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire. Il empêche toute contamination ou impureté de se diffuser dans la plaquette, ce qui la rend idéale pour une utilisation dans des environnements de salle blanche. Semicorex est un fabricant et fournisseur à grande échelle de suscepteur en graphite revêtu de SiC en Chine, et nos produits ont un bon avantage de prix. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme dans l'industrie des semi-conducteurs.

Paramètres du barillet en graphite revêtu de carbure de silicium

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du corps en graphite revêtu de carbure de silicium

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur revêtu de carbure de silicium utilisé pour la croissance de monocristaux a une planéité de surface très élevée.

- Réduit la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliore efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.