Corps en graphite recouvert de carbure de silicium

Le corps en graphite recouvert de carbure de silicium Semicorex est le choix idéal pour les applications de fabrication de semi-conducteurs qui nécessitent une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion. Ses propriétés exceptionnelles de conductivité thermique et de répartition de la chaleur le rendent idéal pour une utilisation dans les processus LPE et autres environnements à haute température.

envoyer une demande

Description du produit

Lorsqu'il s'agit de fabrication de semi-conducteurs, le corps en graphite recouvert de carbure de silicium Semicorex est le premier choix pour des performances et une fiabilité exceptionnelles. Son revêtement SiC de haute qualité, sa densité et sa conductivité thermique supérieures offrent une distribution de chaleur et une protection supérieures, même dans les environnements à haute température et corrosifs les plus difficiles.

Notre corps en graphite recouvert de carbure de silicium assure un profil thermique uniforme, garantissant le meilleur flux de gaz laminaire. Il empêche toute contamination ou impureté de se diffuser dans la plaquette, ce qui la rend idéale pour une utilisation dans les environnements de salle blanche. Semicorex est un fabricant et fournisseur à grande échelle de suscepteurs en graphite à revêtement SiC en Chine, et nos produits présentent un bon avantage en termes de prix. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme dans l'industrie des semi-conducteurs.

Paramètres du corps en graphite recouvert de carbure de silicium

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du corps en graphite recouvert de carbure de silicium

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance monocristalline présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.