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Chine Revêtement en carbure de silicium fabricants, fournisseurs, usine
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Support RTP pour la croissance épitaxiale MOCVD
Le support Semicorex RTP pour la croissance épitaxiale MOCVD est idéal pour les applications de traitement de tranches de semi-conducteurs, y compris le traitement de croissance épitaxiale et de manipulation de tranches. Les suscepteurs en graphite de carbone et les creusets en quartz sont traités par MOCVD sur la surface du graphite, de la céramique, etc. Nos produits ont un bon avantage en termes de prix et couvrent de nombreux marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.
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Composant ICP revêtu de SiC
Le composant ICP à revêtement SiC de Semicorex est conçu spécifiquement pour les processus de manipulation de plaquettes à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Dotés d'un fin revêtement cristallin SiC, nos supports offrent une résistance thermique supérieure, une uniformité thermique uniforme et une résistance chimique durable.
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Revêtement SiC haute température pour chambres de gravure au plasma
Lorsqu'il s'agit de processus de manipulation de plaquettes tels que l'épitaxie et le MOCVD, le revêtement SiC haute température de Semicorex pour les chambres de gravure au plasma est le premier choix. Nos supports offrent une résistance thermique supérieure, une uniformité thermique uniforme et une résistance chimique durable grâce à notre fin revêtement cristallin SiC.
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Plateau de gravure au plasma ICP
Le plateau de gravure plasma ICP de Semicorex est conçu spécifiquement pour les processus de manipulation de plaquettes à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Avec une résistance stable à l'oxydation à haute température allant jusqu'à 1 600 °C, nos supports offrent des profils thermiques uniformes, des modèles d'écoulement de gaz laminaire et empêchent la contamination ou la diffusion d'impuretés.
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Système de gravure au plasma ICP
Le support à revêtement SiC de Semicorex pour le système de gravure plasma ICP est une solution fiable et rentable pour les processus de manipulation de plaquettes à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Nos supports sont dotés d'un fin revêtement cristallin SiC qui offre une résistance thermique supérieure, une uniformité thermique uniforme et une résistance chimique durable.
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Plasma à couplage inductif (ICP)
Le suscepteur revêtu de carbure de silicium de Semicorex pour plasma à couplage inductif (ICP) est conçu spécifiquement pour les processus de manipulation de tranches à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Avec une résistance stable à l'oxydation à haute température allant jusqu'à 1 600 °C, nos supports garantissent des profils thermiques uniformes, des modèles d'écoulement de gaz laminaire et empêchent la contamination ou la diffusion d'impuretés.
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Semicorex produit Revêtement en carbure de silicium depuis de nombreuses années et est l'un des fabricants et fournisseurs professionnels de Revêtement en carbure de silicium en Chine. Une fois que vous avez acheté nos produits avancés et durables qui fournissent un emballage en vrac, nous garantissons la grande quantité dans une livraison rapide. Au fil des ans, nous avons fourni à nos clients un service personnalisé. Les clients sont satisfaits de nos produits et de notre excellent service. Nous sommes sincèrement impatients de devenir votre partenaire commercial fiable à long terme ! Bienvenue pour acheter des produits de notre usine.
