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Le graphite de revêtement TaC est créé en recouvrant la surface d'un substrat en graphite de haute pureté d'une fine couche de carbure de tantale par un procédé exclusif de dépôt chimique en phase vapeur (CVD).



Le carbure de tantale (TaC) est un composé composé de tantale et de carbone. Il possède une conductivité électrique métallique et un point de fusion exceptionnellement élevé, ce qui en fait un matériau céramique réfractaire connu pour sa solidité, sa dureté et sa résistance à la chaleur et à l'usure. Le point de fusion des carbures de tantale culmine à environ 3 880 °C en fonction de la pureté et possède l'un des points de fusion les plus élevés parmi les composés binaires. Cela en fait une alternative intéressante lorsque les exigences de température plus élevées dépassent les capacités de performance utilisées dans les processus épitaxiaux de semi-conducteurs composés tels que MOCVD et LPE.


Données matérielles du revêtement Semicorex TaC

Projets

Paramètres

Densité

14,3 (g/cm³)

Émissivité

0.3

ETC (×10-6/K)

6.3

Dureté (HK)

2000

Résistance (Ohm-cm)

1×10-5

Stabilité thermique

<2500℃

Changement de dimension du graphite

-10 ~ -20um (valeur de référence)

Épaisseur du revêtement

Valeur typique ≥20um (35um ± 10um)



Les valeurs ci-dessus sont typiques




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Plateau de plaquettes de revêtement TaC

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Semicorex TaC Coating Wafer Chuck constitue le summum de l'innovation dans le processus d'épitaxie des semi-conducteurs, une phase critique dans la fabrication des semi-conducteurs. Grâce à notre engagement à fournir des produits de qualité supérieure à des prix compétitifs, nous sommes prêts à devenir votre partenaire à long terme en Chine.*

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