Semicorex Graphite Thermal Field combine la science des matériaux de pointe avec une compréhension approfondie des processus de croissance cristalline, il offre une solution innovante qui permet à l'industrie des semi-conducteurs d'atteindre de nouveaux niveaux de performances, d'efficacité et de rentabilité.**
En savoir plusenvoyer une demandeSemicorex LPE SiC-Epi Halfmoon est un atout indispensable dans le monde de l'épitaxie, offrant une solution robuste aux défis posés par les températures élevées, les gaz réactifs et les exigences strictes de pureté.**
En savoir plusenvoyer une demandeLe revêtement Semicorex CVD TaC est devenu une technologie critique dans les environnements exigeants des réacteurs d'épitaxie, caractérisés par des températures élevées, des gaz réactifs et des exigences de pureté strictes, qui nécessitent des matériaux robustes pour garantir une croissance cristalline constante et éviter les réactions indésirables.**
En savoir plusenvoyer une demandeLes outils d'extraction de silicium unique en graphite Semicorex émergent comme des héros méconnus dans le creuset enflammé des fours de croissance cristalline, où les températures montent en flèche et la précision règne en maître. Leurs propriétés remarquables, perfectionnées grâce à une fabrication innovante, les rendent essentiels pour faire exister un silicium monocristallin impeccable.**
En savoir plusenvoyer une demandeL'anneau de guidage de revêtement Semicorex TaC constitue un élément primordial dans l'équipement de dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD), assurant la distribution précise et stable des gaz précurseurs pendant le processus de croissance épitaxiale. L'anneau de guidage du revêtement TaC représente une série de propriétés qui le rendent idéal pour résister aux conditions extrêmes rencontrées dans la chambre du réacteur MOCVD.**
En savoir plusenvoyer une demandeL'engagement de Semicorex envers la qualité et l'innovation est évident dans le segment des couvertures SiC MOCVD. En permettant une épitaxie SiC fiable, efficace et de haute qualité, il joue un rôle essentiel dans l'amélioration des capacités des dispositifs semi-conducteurs de nouvelle génération.**
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