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Composant ICP revêtu de SiC
Le composant ICP revêtu de SiC de Semicorex est conçu spécifiquement pour les processus de manipulation de plaquettes à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Avec un revêtement en cristal SiC fin, nos supports offrent une résistance à la chaleur supérieure, une uniformité thermique uniforme et une résistance chimique durable.
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Revêtement SiC haute température pour chambres de gravure au plasma
Lorsqu'il s'agit de processus de manipulation de plaquettes tels que l'épitaxie et le MOCVD, le revêtement SiC haute température de Semicorex pour les chambres de gravure au plasma est le premier choix. Nos supports offrent une résistance à la chaleur supérieure, une uniformité thermique uniforme et une résistance chimique durable grâce à notre revêtement en cristal SiC fin.
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Plateau de gravure au plasma ICP
Le plateau de gravure au plasma ICP de Semicorex est conçu spécifiquement pour les processus de manipulation de plaquettes à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Avec une résistance à l'oxydation stable et à haute température jusqu'à 1600°C, nos supports fournissent des profils thermiques uniformes, des schémas d'écoulement de gaz laminaire et empêchent la contamination ou la diffusion des impuretés.
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Système de gravure au plasma ICP
Le support revêtu de SiC de Semicorex pour le système de gravure au plasma ICP est une solution fiable et économique pour les processus de manipulation de tranches à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Nos supports sont dotés d'un revêtement en cristal SiC fin qui offre une résistance à la chaleur supérieure, une uniformité thermique uniforme et une résistance chimique durable.
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Plasma à couplage inductif (ICP)
Le suscepteur revêtu de carbure de silicium de Semicorex pour plasma à couplage inductif (ICP) est conçu spécifiquement pour les processus de manipulation de plaquettes à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Avec une résistance stable à l'oxydation à haute température jusqu'à 1600°C, nos supports assurent des profils thermiques uniformes, des schémas d'écoulement de gaz laminaire et empêchent la contamination ou la diffusion des impuretés.
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Porte-plaquette de gravure ICP
Le support de plaquette de gravure ICP de Semicorex est la solution parfaite pour les processus de manipulation de plaquettes à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Avec une résistance stable à l'oxydation à haute température jusqu'à 1600°C, nos supports garantissent des profils thermiques uniformes, des modèles d'écoulement de gaz laminaire et empêchent la contamination ou la diffusion des impuretés.
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